检测项目
1.电气参数测试：工作电压（1.2V-3.3V5%）、静态电流（≤10μA）、动态功耗（≤200mW@100MHz）、输入/输出电平容差（10%）2.时序特性验证：存取时间（tAA≤15ns）、时钟频率（最高533MHz）、建立/保持时间（tsu/th≥2ns）3.耐久性测试：擦写次数（NANDFlash≥10^4次P/Ecycles）、数据保持时间（≥10年@85℃）4.环境适应性试验：温度循环（-55℃~125℃/500次）、湿热存储（85℃/85%RH/1000h）5.信号完整性分析：眼图张开度（≥70%UI）、串扰容限（≤5%VDD）、抖动峰峰值（≤0.15UI）
检测范围
1.DRAM：包括DDR4/DDR5/LPDDR5等高速动态存储器2.NANDFlash：涵盖SLC/MLC/TLC/QLC架构及3D堆叠产品3.NORFlash：主要针对代码存储应用的并行/串行接口器件4.EEPROM：汽车电子用高可靠性电可擦除存储器5.新型存储器：RRAM/MRAM/FRAM等非易失性存储介质
检测方法
1.电气特性测试依据JESD22-A117E、ASTMF1241-18标准执行2.可靠性验证采用JEDECJESD47I、JESD22-A104F加速寿命试验规范3.信号完整性分析参照IPC-9592B高速数字电路测试准则4.环境试验遵循GB/T2423.22-2012温度变化及IEC60068-2-78恒定湿热标准5.数据保持能力评估依据JESD22-A119A高温存储试验方法
检测设备
1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：执行IV/CV曲线测量及栅极漏电流分析2.AdvantestT2000测试系统：支持DDR5-6400高速时序特性验证3.FormFactorCM300xi-ULN探针台：实现wafer级接触电阻测量（分辨率0.1mΩ）4.ThermoFisherScios2DualBeam：进行≤5nm精度的存储单元剖面结构分析5.TektronixDPO73304SX示波器：完成56GbpsPAM4信号眼图测试6.ESPECT12温湿度试验箱：提供-70℃~180℃温度冲击测试环境7.X-RayXTH225ST工业CT：实施BGA封装内部连线的无损三维成像8.AgilentN6705B电源模块：提供0.05%精度的动态功耗测量9.MPITS200-TH热阻测试仪：测定θJA结至环境热阻参数10.Chroma3380P闪存测试机：支持8通道并行NANDFlash耐久性验证
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
