检测项目

1.层间结合强度：ASTMB571剪切强度测试（≥20MPa），90剥离试验（≥1.5N/mm）2.膜厚均匀性：台阶仪测量（精度0.5nm），XRF膜厚分析（误差≤3%）3.界面扩散分析：SEM-EDS元素线扫描（分辨率≤1μm），俄歇电子能谱深度剖析4.表面粗糙度：白光干涉仪Ra值测量（0.01-100μm量程），AFM三维形貌重建5.电学性能测试：四探针方阻测量（0.1-1000Ω/□），Kelvin结构接触电阻（μΩ级分辨率）

检测范围

1.半导体封装基板：FC-BGA、QFN等封装用铜/镍/金叠层结构2.MEMS器件：惯性传感器、射频开关的铝/钛/钨多层电极3.高密度互连PCB：任意层HDI板的沉铜/化学镍金工艺4.光学镀膜器件：红外截止滤光片的铬/银/二氧化硅复合膜系5.新能源电池组件：固态电池锂金属负极的铜/镍阻挡层

检测方法

1.ASTMF1261M-16微电子金属化层剪切强度测试规程2.ISO3497:2020金属镀层厚度X射线荧光光谱测定法3.GB/T17394-1998金属覆盖层厚度超声波测量方法4.ASTME3-11金相试样制备与显微结构观察标准5.IEC62326-20:2016印制板金属化通孔可靠性评估规范

检测设备

1.HitachiSU5000场发射扫描电镜：5nm分辨率背散射电子成像2.ThermoScientificARLiSpark8860X射线荧光光谱仪：多元素同步分析系统3.BrukerContourGT-X3白光干涉仪：0.1垂直分辨率三维形貌测量4.KeysightB1500A半导体参数分析仪：fA级漏电流测试能力5.Instron6800系列万能材料试验机：0.001N力值分辨率微力测试6.OlympusOmniscanX3相控阵超声探伤仪：50MHz高频探头阵列7.ZeissAxioImagerM2m金相显微镜：微分干涉对比成像系统8.Agilent5500原子力显微镜：接触/轻敲双模式纳米力学测试9.FourDimensions4DModel2800四探针测试台：自动多点方阻测绘10.ULVACPHI5000VersaProbeIIIXPS/UPS联合分析系统：0.4eV能量分辨率

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。