检测项目

1.晶格畸变率：采用X射线衍射法测定（偏差值≤0.15%）2.位错密度：通过化学腐蚀法计算（分辨率≥10^3cm^-2）3.表面粗糙度：白光干涉仪测量（Ra≤0.8nm）4.热稳定性：高温退火实验（1200℃/2h）5.元素偏析度：电子探针微区分析（精度0.05wt%）6.残余应力：激光拉曼光谱法（误差＜5MPa）7.透光性能：紫外-可见分光光度计（波长范围190-2500nm）

检测范围

1.半导体单晶硅片（直径200-300mm）2.蓝宝石衬底材料（厚度65015μm）3.碳化硅功率器件晶圆（4H-SiC型）4.非线性光学晶体（LiNbO3/BBO/KTP）5.压电陶瓷材料（PZT-5H系）6.红外窗口材料（ZnSe/Ge单晶）

检测方法

1.ASTMF1241-22半导体晶体缺陷表征规程2.ISO14707:2021表面化学成分分析通则3.GB/T1735-2009晶体热稳定性试验方法4.JISH7804:2018X射线衍射应力测定法5.GB/T34879-2017微纳米表面粗糙度测量规范6.ISO21363:2020纳米颗粒尺寸分布测定7.ASTME112-13晶粒度测定标准

检测设备

1.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪（Cu靶Kα辐射）2.HitachiSU5000场发射扫描电镜（分辨率1nm）3.ZygoNewView9000白光干涉仪（垂直分辨率0.1nm）4.NetzschSTA449F3同步热分析仪（最高1600℃）5.ThermoFisheriCAPRQICP-MS（检出限ppt级）6.RenishawinVia激光拉曼光谱仪（532/785nm双波长）7.AgilentCary7000紫外可见近红外分光光度计8.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统（分辨率50nm）9.Keysight5500原子力显微镜（接触/轻敲模式）10.JEOLJXA-8530F电子探针微区分析仪

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。