检测项目

1.纯度分析：采用XRD与ICP-OES联用技术测定主含量≥99.99%，杂质元素（Fe、Cu、Pb）≤50ppm

2.晶体结构表征：通过θ-2θ扫描测定晶格常数（a=1.152nm,c=1.437nm），半峰宽≤0.15

3.元素配比测定：EDX定量分析Sb/Se原子比（1:30.05），氧含量≤0.5at%

4.表面形貌观测：SEM成像分辨率≤3nm，表面粗糙度Ra≤20nm

5.电学性能测试：霍尔效应仪测量载流子浓度（110^17~510^18cm^-3），迁移率≥150cm/(Vs)

检测范围

1.光伏薄膜材料：CIGS太阳能电池吸收层

2.半导体晶圆：直径100/150mm单晶衬底片

3.热电材料：Zintl相化合物块体材料

4.光学镀膜材料：红外窗口保护涂层

5.纳米粉末材料：粒径分布D50=50-200nm的粉体

检测方法

1.ASTME112-13《晶粒度测定标准》用于晶体缺陷分析

2.ISO14706:2014《表面元素化学分析-全反射X射线荧光光谱法》

3.GB/T26305-2010《铋化学分析方法》扩展应用于硒化锑纯度测试

4.JISH7805:2005《X射线衍射法测量纳米材料晶粒尺寸》

5.GB/T17473.6-2008《微电子技术用贵金属浆料测试方法》适配电学性能测试

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：配备9kW旋转阳极靶，最小步进角0.0001

2.ThermoFisheriCAPPROICP-OES：轴向观测系统，检出限达ppb级

3.ZeissSigma500场发射SEM：配备BSE和Inlens探测器

4.Lakeshore8404霍尔效应测试系统：磁场强度1T0.05%，温度范围80-400K

5.BrukerD8ADVANCEXRD：配备LYNXEYEXE-T探测器

6.Agilent5500AFM：接触/轻敲双模式，Z轴分辨率0.1nm

7.PerkinElmerSTA8000同步热分析仪：TG-DSC联用精度0.1μg

8.MalvernZetasizerNanoZSP：动态光散射测量粒径0.3nm-10μm

9.KeysightB1500A半导体参数分析仪：IV/CV测试精度0.3%

10.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：空间分辨率<1μm，光谱范围200-1600cm⁻

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。