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初生晶体检测

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文章概述:检测项目1.晶体尺寸分析:测量范围50nm-500μm,分辨率2nm(SEM模式)2.晶格常数测定:精度达0.0001(XRD法),覆盖立方/六方/四方晶系3.结晶度计算:采用分峰法计算非晶相占比(误差≤1.5%)4.位错密度评估:TEM明场像统计法(密度范围10^6-10^12/cm)5.取向分布函数:EBSD采集步长0.05-5μm(角度分辨率0.5)检测范围1.半导体单晶材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)基片2.金属凝固组织:铝合金(AA6061)、钛合金(Ti-6Al-4V)枝

检测项目

1.晶体尺寸分析:测量范围50nm-500μm,分辨率2nm(SEM模式)

2.晶格常数测定:精度达0.0001(XRD法),覆盖立方/六方/四方晶系

3.结晶度计算:采用分峰法计算非晶相占比(误差≤1.5%)

4.位错密度评估:TEM明场像统计法(密度范围10^6-10^12/cm)

5.取向分布函数:EBSD采集步长0.05-5μm(角度分辨率0.5)

检测范围

1.半导体单晶材料:硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)基片

2.金属凝固组织:铝合金(AA6061)、钛合金(Ti-6Al-4V)枝晶结构

3.陶瓷烧结体:氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)初始晶粒

4.高分子球晶:聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)结晶区形态

5.功能晶体材料:铌酸锂(LiNbO₃)、蓝宝石(α-Al₂O₃)籽晶质量

检测方法

ASTME112-13:晶粒度测定标准图谱比对法

ISO13383-1:2012:扫描电镜定量分析通则

GB/T13298-2015:金属显微组织检验方法

ASTMF1811-18:X射线衍射残余应力测试规程

GB/T23414-2021:微束分析术语及定义规范

检测设备

RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备HyPix-3000探测器,θ/θ测角仪精度0.0001

JEOLJSM-7900F场发射扫描电镜:分辨率0.8nm@15kV,配备OxfordEBSD系统

BrukerDimensionIcon原子力显微镜:峰值力轻敲模式(分辨率0.2nm)

FEITalosF200X透射电镜:STEM模式点分辨率0.16nm

MalvernMastersizer3000激光粒度仪:测量范围10nm-3.5mm(湿法模式)

LeicaDM2700M偏光显微镜:透反射双模式(最大倍率1000)

NetzschDSC214差示扫描量热仪:温度精度0.1℃(结晶度计算模块)

ShimadzuAIM-9000红外热像仪:空间分辨率3μm(温度场动态监测)

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

初生晶体检测
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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