再结晶区检测是指对材料的再结晶区进行系列的检测和评估，以了解材料的再结晶现象和性能。

晶粒大小测定：通过显微镜或扫描电子显微镜观察和测量晶粒尺寸，评估再结晶的程度和晶粒的形态。

晶粒取向测定：使用X射线衍射或电子背散射技术分析晶体的取向，了解晶体的晶轴方向和优势晶面。

晶界取向测定：利用电子背散射技术或透射电子显微镜观察和分析晶界的取向，研究晶界的结构和性质。

再结晶温度测定：通过热处理实验，确定材料的再结晶温度，即在一定条件下开始进行再结晶的温度范围。

再结晶动力学研究：通过不同时间和温度条件下的实验，研究再结晶过程的动力学参数，如再结晶速率、再结晶指数等。

再结晶形核测定：观察和测量再结晶开始的形核位置和数量，了解再结晶形核机制。

再结晶长大测定：通过观察和测量再结晶晶粒的尺寸和分布，研究再结晶的长大过程和机制。

再结晶晶体取向关系研究：通过透射电子显微镜的细微区域取向显微学技术，研究再结晶晶粒之间的取向关系。

再结晶位错测定：利用电子背散射技术或透射电子显微镜观察和分析再结晶区内的位错密度和类型。

再结晶晶界能测定：通过观察和分析再结晶晶界上的微观结构和形貌，研究再结晶晶界能的大小和分布。

再结晶晶粒边界特性研究：通过透射电子显微镜的成像和分析技术，研究再结晶晶粒边界的形貌和晶界特性。

再结晶驱动力研究：通过实验测量和模拟计算，研究驱动再结晶的力量来源和作用机制。

再结晶织构测定：使用X射线衍射或电子背散射技术分析材料的晶体取向分布，研究再结晶后的织构特性。

再结晶亚晶形貌测定：通过透射电子显微镜的高分辨率成像和分析技术，观察和测量再结晶区内的亚晶形貌和分布。

再结晶晶粒定向分布研究：通过观察和测量再结晶区内晶粒的取向分布，分析再结晶晶粒的取向偏好性。

再结晶动态回复研究：观察和测量再结晶过程中材料的动态回复行为，研究其对再结晶过程的影响。

再结晶位错消除测定：通过观察和测量再结晶区内的位错密度和类型，研究再结晶位错消除的机制。

再结晶相关相变研究：通过观察和分析材料的相变行为和相变特性，研究再结晶过程中的相变现象。

再结晶应力测定：通过应变测量和力学测试，评估再结晶区内的应力状态和应力分布。

再结晶晶粒取向演化模拟：利用数值模拟方法，模拟再结晶过程中晶粒的取向演化和晶界的迁移。

再结晶晶界能梯度测定：通过透射电镜观察和分析再结晶晶界的能梯度分布，研究晶界能梯度对再结晶的影响。

再结晶晶界迁移测定：通过实验和模拟，研究再结晶晶界的迁移速率和迁移机制。

再结晶边界迁移测定：通过实验和数值模拟，研究再结晶边界的迁移速率和边界结构演化。

再结晶晶粒退逆变研究：观察和分析再结晶区内晶粒的退化和退逆变行为，研究再结晶晶粒的稳定性。

再结晶晶界晶格错位测定：利用透射电子显微镜的高分辨率成像技术，观察和测量再结晶晶界的晶格错位和晶面错配。

再结晶组织性能评估：通过力学测试和显微硬度测试，评估再结晶区的力学性能和硬度特性。

再结晶材料检测标准：根据国家和行业标准，对再结晶材料进行检测，并评价其符合标准要求的程度。

再结晶组织显微结构观察：使用金相显微镜或扫描电子显微镜观察再结晶材料的显微结构，研究再结晶的组织特征。

再结晶晶界稳定性测定：通过透射电子显微镜观察和分析再结晶晶界的稳定性和晶界结构的变化。