检测项目
1.半波电压（Vπ）：测量电压范围0.1-10kV@1064nm波长2.消光比：≥30dB@632.8nm波长3.响应时间：≤10ns@上升沿/下降沿4.电光系数（r63）：(8.60.3)pm/V@铌酸锂晶体5.温度漂移：≤0.05%/℃@-40℃至+85℃6.插入损耗：≤1.5dB@1550nm波段7.抗损伤阈值：≥500MW/cm@10ns脉冲
检测范围
1.铌酸锂(LiNbO₃)晶体电光调制器2.磷酸二氢钾(KDP)晶体Q开关组件3.钽酸锂(LiTaO₃)高速调制芯片4.聚合物电光材料薄膜器件5.光纤耦合式泡克耳斯盒系统6.太赫兹波段电光探测模块
检测方法
1.电光系数测定：ISO21748:2017光学非线性测量规范2.半波电压校准：GB/T18901-2013电光调制器测试规程3.消光比测试：ASTMF218-19激光系统光学元件标准4.温度特性试验：IEC61300-2-22环境适应性测试方法5.损伤阈值评估：ISO21254系列激光损伤阈值标准6.时域响应分析：GB/T32672-2016高速光电探测器测试规范
检测设备
1.Agilent33500B系列函数发生器（0.1Hz-30MHz）2.ThorlabsPM100D光学功率计（350-1100nm）3.KeysightDSOX92004A示波器（200GHz带宽）4.Newport1918-C光传感器（0.1nW-2W量程）5.JenoptikVEGA激光干涉仪（λ/100精度）6.EXFOIQS-6000光学损伤测试
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
