检测项目

1.正向压降（VF）：测试电流10A-1000A范围下的导通电压值（0.7V-1.8V）2.反向击穿电压（VBR）：施加反向偏压至器件失效临界点（500V-6500V）3.漏电流（IR）：在额定反向电压80%条件下测量（≤10μA@25℃）4.热阻系数（Rth）：结温与壳体温差ΔT=50K时的热传导效率（≤0.15K/W）5.绝缘耐压强度：电极间施加AC3kV/min无击穿放电6.开关特性：反向恢复时间trr≤100ns（测试频率1MHz）

检测范围

1.硅基整流二极管（Si-PNJunction）2.碳化硅肖特基整流器（SiC-SBD）3.金属氧化物半导体整流桥（MOSFETDiode）4.高频快恢复整流模块（FRDModule）5.高压直流输电用晶闸管整流极（HVDCThyristor）6.柔性印刷电路板嵌入式微型整流单元

检测方法

1.正向特性测试：GB/T4023-2015《半导体器件分立器件第2部分》2.反向耐压试验：IEC60747-1:2022《半导体器件通用要求》3.热阻测量：JEDECJESD51-14瞬态热测试法4.绝缘强度验证：GB/T16927.1-2011高电压试验技术规程5.动态参数分析：ASTMF1263M-16功率半导体开关特性标准6.环境适应性：GJB548B-2005军用电子器件试验方法

检测设备

1.KeysightB2902A精密数字源表：执行μA级漏电流测量2.TektronixDPO7054C示波器：捕获ns级反向恢复波形3.ESPECTSE-11-A高低温试验箱：-65℃~+200℃温循测试4.Chroma19053功率器件测试仪：6000V/1000A综合参数分析5.ThermoScientificT3Ster瞬态热阻测试系统：μs级温度响应采集6.HIOKIST5520表面绝缘电阻仪：5000V/100TΩ耐压测试7.FLIRA655sc红外热像仪：空间分辨率640480@30Hz8.AgilentE4980AL精密LCR表：10μHz~2MHz阻抗特性分析9.SchleifringHS30大电流接触系统：3000A持续导通试验10.OmicronLabBode100频响分析仪：10MHz开关损耗测量

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。