检测项目
1.元素组成分析：能量分辨率≤0.3eV（FWHM），结合能范围0-1500eV2.化学态鉴定：峰位偏移精度0.1eV，半峰宽误差≤5%3.深度剖析：Ar+溅射速率0.1-10nm/min（SiO₂标样）4表面污染检测：检出限≤0.1at%，空间分辨率≤3μm5.价带结构表征：紫外光源能量21.2eV（HeI），能量步长0.05eV
检测范围
1.半导体材料：硅基芯片GaN外延片表面氧化层厚度测量2.金属及合金：不锈钢钝化膜Cr/Fe化学态比例测定3.高分子材料：PET薄膜表面氟化处理效果验证4.纳米材料：量子点表面配体覆盖率计算5.生物医学材料：钛合金植入体表面羟基磷灰石Ca/P比分析
检测方法
1.X射线光电子能谱（XPS）：ASTME1523-15/GB/T29556-20132.俄歇电子能谱（AES）：ISO18118:2015/GB/T26533-20113.紫外光电子能谱（UPS）：ISO19830:20184.能量损失谱（EELS）：IEC62607-6-13:20215.同步辐射光电子能谱（SRPES）：JJG(教委)021-1996
检测设备
1.ThermoScientificK-Alpha+XPS光电子能谱仪：单色化AlKα光源（1486.6eV），空间分辨率15μm2.PHI5000VersaProbeIII扫描型XPS：多模式离子枪（0.1-10keV），深度剖析速率监控系统3.ULVAC-PHIQuantes场发射AES：电子束直径<6nm，元素面分布成像功能4.SPECSPhoibos150UPS分析系统：HeI/HeII双光源配置，功函数测量精度0.01eV5.JEOLJAMP-9500F俄歇微探针：束斑尺寸10nm@20kV,二次电子成像分辨率3nm6.OmicronEA125能量分析器：半球型静电分析器（能量分辨率0.05%）7.RBDInstrumentsAugerScan控制系统：多通道脉冲计数检测模块8.ScientaOmicronARPES系统：角分辨光电子能谱测量角度精度0.19.BrukerD8ADVANCE掠入射XPS附件：入射角调节范围1-8910.HORIBASmartSPM原子力-AES联用系统：AFM探针定位精度2nm
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
