微变形晶体检测主要涉及对晶体结构和性质的分析，以评估其在微小变形下的变化。

X 射线衍射分析：用于确定晶体的结构和晶格参数。

电子显微镜观察：高分辨率成像，可观察晶体的微观结构和缺陷。

原子力显微镜：测量晶体表面的形貌和力学性质。

拉曼光谱：提供晶体分子振动和结构信息。

红外光谱：分析晶体中的化学键和官能团。

热分析：如差示扫描量热法，研究晶体的热稳定性。

硬度测试：评估晶体的硬度和耐磨性。

弹性模量测试：确定晶体的弹性性能。

应变测量：监测晶体在变形过程中的应变变化。

位错密度测量：分析晶体中的位错数量和分布。

晶体取向分析：确定晶体的取向和晶体学方向。

光学性质测量：如折射率、双折射等，了解晶体的光学特性。

电学性质测试：测量晶体的电导率、介电常数等。

磁学性质测试：评估晶体的磁性特征。

缺陷分析：检测晶体中的点缺陷、线缺陷和面缺陷。

热膨胀系数测量：确定晶体在温度变化下的膨胀行为。

热导率测试：测量晶体的热传导性能。

声学性质测试：研究晶体的声学特性。

残余应力测量：评估晶体内部的残余应力分布。

微区分析：针对晶体的特定区域进行详细分析。

动态力学分析：研究晶体在动态载荷下的性能。

疲劳测试：评估晶体在循环加载下的耐久性。

环境影响评估：考察晶体在不同环境条件下的稳定性。

晶体生长过程监测：跟踪晶体生长过程中的结构变化。

晶体纯度分析：确定晶体中杂质的含量和种类。

晶体对称性分析：研究晶体的对称性和对称元素。

晶体相变研究：观察晶体在不同条件下的相变行为。

晶体结构模拟：通过计算机模拟预测晶体的结构和性质。

晶体表面能测量：评估晶体表面的能量状态。

晶体与其他物质的相互作用研究：分析晶体与周围环境的相互作用。