检测项目

层间距测量：SEM/TEM测量，范围0.1-10μm，精度±5nm

取向分布分析：EBSD检测，步长0.05-1μm，覆盖率≥95%

厚度均匀性评估：线扫描EDS，横向分辨率≤50nm

相比例测定：XRD定量分析，误差±1.5wt%

界面缺陷检测：FIB-TEM联用，缺陷识别尺寸≥5nm

检测范围

金属合金：铝硅共晶合金、铜银复合材料

半导体材料：锗硅外延层、III-V族化合物

陶瓷复合材料：Al₂O₃-ZrO₂共晶陶瓷

高温涂层：Ni基超合金热障涂层

磁性材料：Nd-Fe-B永磁体晶界扩散层

检测方法

ASTM E3-11：金相试样制备标准

ISO 945-1:2019：铸铁中石墨结构分类

GB/T 13298-2015：金属显微组织检验方法

ASTM E112-13：晶粒度测定标准

ISO 16700:2016：扫描电镜校准规范

检测设备

场发射扫描电镜：FEI Nova NanoSEM 450，分辨率0.8nm@15kV

透射电子显微镜：JEOL JEM-2100F，点分辨率0.19nm

电子背散射衍射仪：Oxford Symmetry S2，最大倾角±70°

聚焦离子束系统：Thermo Scientific Helios G4 UX，束流0.8pA-65nA

X射线衍射仪：Bruker D8 Advance，角度重复性±0.0001°

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。