半导体整流器检测丨北京中科光析科学技术研究所

半导体整流器检测

文章概述：半导体整流器作为电力电子系统的核心元件，其性能直接影响设备稳定性与安全性。专业检测涵盖正向压降、反向击穿电压、热阻特性等关键参数，需遵循ASTM、IEC及GB/T等标准规范。本文系统阐述检测项目、方法及设备选型要点，为行业提供技术参考。

1. 正向压降（VF）测试：测量电流IF=1A时的导通压降值（0.3-1.2V），精度±1%

2. 反向击穿电压（VRRM）测试：施加反向电压至10kV范围（视型号而定），漏电流阈值≤1μA

3. 热阻（Rth）分析：结温Tj=25-175℃区间测量热阻值（0.5-50K/W），误差±3%

4. 反向恢复时间（trr）测定：测试条件IF=10A→0A时恢复时间（10ns-1μs），分辨率0.1ns

5. 浪涌电流（IFSM）耐受：施加8.3ms半波脉冲电流（50-5000A），监测器件失效临界点

1. 硅基整流二极管（1N4007系列/FR307系列）

2. 肖特基二极管（MBR系列/SKD系列）

3. 桥式整流器（GBJ/GBU/KBP封装）

4. 快恢复二极管（RHRG30系列/STTH系列）

5. 高压硅堆（2CL/2DL系列）

ASTM F28-2018规范半导体器件热阻测量方法

IEC 60747-1:2022规定反向恢复时间测试流程

GB/T 4023-2015电力整流器通用技术要求

JESD22-A108F标准用于温度循环可靠性测试

GB/T 4937-2018半导体器件机械气候试验方法

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A参数测试

Tektronix DPO7254示波器：4GHz带宽用于trr精确测量

Chroma 17011可编程直流电源：输出精度±0.05% @100A

Thermo Scientific T3Ster热阻测试系统：μs级瞬态响应分析

ESPEC PL-3K环境试验箱：温度范围-70℃~+180℃

HIOKI RM3545电阻计：四线法测量接触电阻（0.1μΩ分辨率）

Agilent 4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz频率特性测试

Fluke Ti450红外热像仪：非接触式结温监测（±1℃精度）

EM TEST DCS 500N10浪涌发生器：10kV/50kA脉冲输出能力

Gossen Metrawatt SECULIFE STPro绝缘测试仪：5000V DC耐压测试

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。