检测项目

1.电荷转移效率（CTE）：测量波长400-1000nm范围内≥99.998%的传输效率

2.暗电流噪声：-40℃至+85℃环境下＜0.5e-/pixel/s

3.动态范围：测试照度10^-3lx至10^5lx条件下的响应线性度

4.满阱容量：采用脉冲注入法测量≥40,000e-的电荷存储能力

5.响应非均匀性：全像元区域＜1.5%的峰峰值差异

检测范围

1.CCD/CMOS图像传感器芯片及模组

2.光电二极管阵列探测器

3.X射线平板探测器

4.科学级EMCCD器件

5.红外焦平面阵列器件

检测方法

1.ASTMF1241-22电荷转移效率测试标准方法

2.ISO16505:2019光电成像系统动态范围测量规范

3.GB/T18904.3-2023半导体器件第12-3部分:光电子器件测试方法

4.IEC60749-27:2020半导体器件机械与气候试验方法

5.GB/T4937.4-2023半导体器件机械和气候试验第4部分:强加速稳态湿热试验

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：IV/CV特性测试

2.Keithley4200-SCS参数分析系统：纳米级漏电流测量

3.ThermoScientificLN2低温恒温系统：-196℃至+150℃温控测试

4.HamamatsuC11347-11光电响应测试平台：10^-6lx级微弱光测量

5.AdvantestT6391A高速信号发生器：100MHz时钟信号模拟

6.OAIModel200光束均匀性校准系统：0.5%照度均匀性控制

7.X-RiteCA310色彩分析仪：光谱响应特性测试

8.Agilent86100C示波器：30GHz带宽时序特性分析

9.BrukerContourGT-K光学轮廓仪：微结构三维形貌测量

10.ESPECSH-642恒温恒湿箱：85℃/85%RH可靠性试验

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。