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场致发射检测

因您的需求、实验方案、检测样品、测试过程不同,相应的参考标准请咨询在线工程师!

文章概述:场致发射检测是通过强电场诱导材料表面电子发射的技术评估手段,主要用于表征纳米材料、真空电子器件及半导体材料的电子发射特性。核心检测参数包括阈值电场强度、发射电流密度及稳定性等指标,需依据ASTMF2078和GB/T29061-2012等标准执行精密测量。

检测项目

5.发射均匀性评估:通过扫描电子显微镜(SEM)观测发射点分布密度(分辨率≥50nm)

检测范围

5.扫描探针显微镜(SPM)钨探针尖端

检测方法

5.GB/T35031-2018:碳基薄膜场致发射性能试验方法

检测设备

<0.5eV)10.AdvantestR6243高压电源:最大输出电压30kV(精度0.05%)

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

场致发射检测
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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