检测项目

1. 载流子浓度测定：测量范围1E10-1E20 cm⁻³，精度±3%

2. 杂质类型分析：识别B/P/As/Sb等元素含量（ppb级）

3. 电阻率测试：覆盖0.001-10000 Ω·cm量程

4. 迁移率测量：霍尔效应法测定电子/空穴迁移率

5. 缺陷密度评估：通过DLTS技术检测深能级缺陷

检测范围

1. 半导体材料：硅单晶/多晶、GaAs、SiC衬底片

2. 光伏材料：PERC电池用硅片、CIGS薄膜

3. 电子陶瓷：压电陶瓷（PZT）、微波介质陶瓷

4. 光学晶体：LiNbO₃、蓝宝石单晶

5. 功能薄膜：ALD沉积高k介质层、磁控溅射ITO膜

检测方法

1. ASTM F723：硅中III/V族杂质SIMS定量分析

2. ISO 14707:2015：辉光放电质谱法深度剖析

3. GB/T 1550-2018：半导体材料导电类型判定规范

4. JIS H 0605：四探针法电阻率测试规程

5. GB/T 35033-2018：半导体材料霍尔效应测试方法

检测设备

1. 二次离子质谱仪SIMS 4550：表面/深度分辨率0.5nm

2. 辉光放电质谱仪GDMS VG9000：检出限达ppt级

3. 霍尔效应测试仪HMS-3000：磁场强度1.5T±0.1%

4. 深能级瞬态谱仪DLTS DLS-83D：温度范围10-500K

5. 四探针测试仪RTS-9：自动压力控制±0.1N

6. FTIR光谱仪Nicolet iS50：波数范围7800-350cm⁻¹

7. X射线荧光光谱仪ZSX Primus IV：元素分析范围Be-U

8. 原子力显微镜Dimension Icon：分辨率0.1nm@Z轴

9. 低温强磁场系统PPMS DynaCool：磁场±16T连续可调

10. 热波法测试仪Therma-Probe 500：非接触载流子寿命测量

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。