因您的需求、实验方案、检测样品、测试过程不同，相应的参考标准请咨询在线工程师！
文章概述：结型晶体管作为半导体器件的核心元件，其性能检测需通过专业参数验证。本文系统阐述电流放大系数（hFE）、击穿电压（VBR）、漏电流（ICEO）等关键指标的测试规范，覆盖硅基、锗基及化合物半导体材料制程的晶体管产品，依据GB/T4587、IEC60747等标准建立完整的检测体系。
检测项目
1. 电流放大系数（hFE）：测试条件VCE=5V, IC=10mA时β值范围50-300
2. 集电极-发射极击穿电压（VBR(CEO)）：施加反向电压至IC=1mA时的临界值
3. 反向截止电流（ICBO）：VCB=30V时最大允许值≤100nA
4. 饱和压降（VCE(sat)）：IC=500mA时典型值≤0.3V
5. 热阻（RθJC）：结到外壳热阻测量精度±0.5℃/W
检测范围
1. 硅基NPN/PNP双极结型晶体管（BJT）
2. 锗材料低频功率晶体管
3. GaAs异质结双极晶体管（HBT）
4. TO-220/TO-92/SOT-23封装器件
5. 高压开关晶体管（VCEO>800V）
检测方法
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
