检测项目

1. 晶格振动模式分析：测量400-4000 cm⁻¹波数范围内的特征吸收峰

2. 红外吸收光谱测定：记录2.5-25 μm波长范围的透射/反射谱

3. 热稳定性测试：在-196℃至1500℃温度范围内监测晶格畸变

4. 缺陷浓度测量：通过吸收系数计算（α≥10 cm⁻¹精度）

5. 能带结构表征：测定0.1-6.2 eV能量区间的电子跃迁吸收

检测范围

1. 半导体材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)单晶片

2. 光学晶体：氟化钙(CaF₂)、蓝宝石(Al₂O₃)、铌酸锂(LiNbO₃)

3. 陶瓷材料：氧化锆(ZrO₂)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)

4. 金属合金：形状记忆合金(NiTi)、高温合金(Inconel系列)

5. 纳米材料：量子点(CdSe)、碳纳米管(CNT)、石墨烯薄膜

检测方法

1. ASTM E1252-17 红外光谱法测定晶体吸收特性

2. ISO 20507:2019 陶瓷材料晶格振动模式分析方法

3. GB/T 13301-2018 金属晶体缺陷浓度测定规范

4. ISO 18473-3:2021 纳米材料能带结构测试规程

5. GB/T 32282-2015 半导体单晶片热稳定性试验方法

检测设备

1. 傅里叶变换红外光谱仪（Thermo Scientific Nicolet iS50）：0.4 cm⁻¹分辨率

2. 高温热重分析仪（PerkinElmer TGA 8000）：1500℃控温精度±0.5℃

3. 低温恒温器（Oxford Instruments OptistatCF）：最低温度4K

4. X射线衍射仪（Bruker D8 ADVANCE）：角度重复性±0.0001°

5. 紫外可见近红外分光光度计（Shimadzu UV-3600i Plus）：波长范围185-3300 nm

6. 拉曼光谱系统（Renishaw inVia Qontor）：空间分辨率0.5 μm

7. 椭偏仪（J.A.Woollam M-2000UI）：0.75-6.5 eV光子能量范围

8. 低温霍尔效应测试系统（Lake Shore CRX-6.5K）：磁场强度±1.5 T

9. X射线光电子能谱仪（Thermo Fisher ESCALAB Xi+）：能量分辨率<0.45 eV

10. 原子力显微镜（Bruker Dimension Icon）：横向分辨率0.2 nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。