检测项目

1. 正向电压降（VF）：测量范围0.1-5V@1mA-1A，精度±0.5%

2. 反向击穿电压（VRRM）：测试范围10-1000V@25℃/125℃，漏电流≤1μA

3. 结电容（Cj）：频率1MHz时测量范围0.1-100pF±2%

4. 反向恢复时间（trr）：测试条件IF=1A, VR=30V, 测量范围5ns-1μs±5%

5. 温度系数（αVF）：-55℃至+175℃范围内VF变化率±0.1mV/℃

检测范围

1. 硅基半导体器件：肖特基二极管、PIN二极管、快恢复二极管

2. 化合物半导体材料：GaAs肖特基势垒器件、SiC整流模块

3. 微波元件：混频二极管、检波器模块

4. 高频电路组件：射频检波电路、微波限幅器

5. 特种电子材料：金属-半导体接触界面、纳米线异质结结构

检测方法

ASTM F1234-18：半导体器件正向特性测试标准方法

IEC 60747-1:2022：分立半导体器件通用测试规范

GB/T 4586-2017：半导体器件 第6部分：晶闸管测试方法

MIL-PRF-19500/543J：军用标准二极管电参数测试程序

JESD282B.01：结电容与反向恢复时间测量规范

检测设备

1. Keysight B1505A功率器件分析仪：支持200A/10kV高压大电流测试

2. Tektronix DPO7254示波器：带宽2.5GHz, 采样率40GS/s的波形采集系统

3. Boonton 7200电容测试仪：1kHz-1MHz频率范围, ±0.05%基本精度

4. Chroma 19032-L高温测试台：-70℃至+300℃温控系统

5. Agilent N5247A网络分析仪：10MHz至67GHz矢量网络特性分析

6. Keithley 2636B源表：100fA分辨率, ±0.012%电压测量精度

7. ESPEC SH-642恒温恒湿箱：温控精度±0.5℃, RH±2%控制能力

8. HIOKI IM3590阻抗分析仪：4Hz至200MHz宽频阻抗特性测试

9. Fluke 8588A参考表：8½位分辨率, ±0.0006%直流电压精度基准

10. Advantest U3741波形记录仪：16bit分辨率, 200MS/s采样率瞬态捕捉系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。