检测项目

1.厚度均匀性：测量直径200-300mm硅片中心与边缘厚度差（0.5μm），采用三点接触式测厚仪

2.表面粗糙度：原子力显微镜（AFM）扫描1010μm区域Ra值（≤0.2nm）

3.电阻率分布：四探针法测试0.001-100Ωcm范围精度1%

4.翘曲度控制：激光干涉仪测量总厚度变化（TTV）≤5μm

5.氧含量测定：傅里叶红外光谱法（FTIR）分析间隙氧浓度（510⁷-910⁷atoms/cm）

检测范围

1.单晶硅片：CZ法/FZ法生长晶体（半导体级纯度≥99.9999%）

2.多晶硅片：定向凝固铸锭材料（光伏转换效率≥18%）

3.抛光硅片：化学机械抛光处理（表面划痕≤0.1μm）

4.外延硅片：气相沉积外延层（厚度偏差2%）

5.SOI硅片：绝缘层上硅结构（埋氧层厚度50-200nm）

检测方法

1.ASTMF533-15：非接触式激光测厚系统校准规范

2.ISO14707:2021：辉光放电质谱法测定金属杂质含量

3.GB/T6618-2020：硅单晶电阻率测定直排四探针法

4.SEMIMF523-0317：X射线衍射法测量晶体取向偏差

5.JISH0605:2018：红外吸收法测定碳含量（检出限110⁵atoms/cm）

检测设备

1.KLA-TencorSurfscanSP3：激光散射表面缺陷检测系统（可识别≥0.12μm颗粒）

2.ThermoFisherμPED电阻率测试仪：非接触式涡流测量（频率1MHz-3GHz）

3.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：峰值力轻敲模式（分辨率0.1nm）

4.Agilent5500LS扫描探针显微镜：导电原子力显微模块（电流灵敏度1pA）

5.HoribaGD-Profiler2：射频辉光放电发射光谱仪（深度分辨率1nm）

6.NikonMM-400测量显微镜：双远心光学系统（放大倍率50-1000X）

7.MalvernPanalyticalX'Pert3MRD：高分辨X射线衍射仪（角度重复性0.0001）

8.HitachiSU5000场发射电镜：二次电子成像模式（加速电压0.5-30kV）

9.KeysightB1500A半导体分析仪：脉冲IV测试功能（最小脉宽100ns）

10.VeecoNT9100光学轮廓仪：白光干涉测量模式（垂直分辨率0.1nm）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。