检测项目

1.晶格常数测定：精度0.001（立方/六方/四方晶系）2.结晶度分析：非晶相含量≤5%误差3.晶型纯度验证：多晶型杂质检出限0.1%4.晶粒尺寸分布：测量范围10nm-500μm5.晶体缺陷密度：位错密度≥10^4/cm分辨率

检测范围

1.半导体材料：硅单晶、GaN外延层2.金属合金：钛合金β相含量分析3.陶瓷材料：氧化锆四方相/单斜相比例4.药物晶体：多晶型药物物相鉴定5.光学晶体：LiNbO3畴结构表征

检测方法

1.X射线衍射法：ASTME975-20/GB/T23413-20092.电子背散射衍射：ISO24173:2009/GB/T38885-20203.拉曼光谱分析：ISO20341:2017/GB/T36065-20184.同步辐射表征：ISO/TS21383:20215.中子衍射法：ASTME1426-14(2020)

检测设备

1.X射线衍射仪：PANalyticalX'Pert3Powder（全谱拟合分析）2.场发射扫描电镜：ThermoScientificApreo2（EBSD系统）3.显微共焦拉曼仪：HoribaLabRAMHREvolution（532/785nm双激光）4.同步辐射光束线：上海光源BL14B1（能量范围5-20keV）5.透射电子显微镜：JEOLJEM-ARM300F（原子级分辨率）6.热分析联用系统：NETZSCHSTA449F5（同步TG-DSC）7.原子力显微镜：BrukerDimensionIcon（纳米力学模块）8.X射线能谱仪：OxfordInstrumentsX-MaxN150（面分布分析）9.中子三轴谱仪：中国散裂中子源CSNS-SANS10.三维X射线显微镜：ZEISSXradia620Versa（亚微米CT）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。