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文章概述：检测项目1.阈值电压（VGS(th)）：测量范围30V@1μA漏极电流2.漏源击穿电压（V(BR)DSS）：测试条件ID=250μA3.跨导（gfs）：频率1kHz下测试值≥100mS4.导通电阻（RDS(on)）：VGS=10V时≤50mΩ5.开关时间：上升时间≤15ns@VDD=400V检测范围1.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）2.结型场效应管（JFET）3.碳化硅功率场效应管（SiCFET）4.氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）5.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块检测方法1.静态
检测项目
1.阈值电压（VGS(th)）：测量范围30V@1μA漏极电流2.漏源击穿电压（V(BR)DSS）：测试条件ID=250μA3.跨导（gfs）：频率1kHz下测试值≥100mS4.导通电阻（RDS(on)）：VGS=10V时≤50mΩ5.开关时间：上升时间≤15ns@VDD=400V
检测范围
1.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）2.结型场效应管（JFET）3.碳化硅功率场效应管（SiCFET）4.氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）5.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块
检测方法
1.静态参数测试：依据GB/T4587-2010《半导体分立器件测试方法》2.动态特性分析：采用IEC60747-9:2019脉冲测试规范3.热阻测量：执行MIL-STD-750F方法31714.可靠性试验：参照JESD22-A108E温度循环标准5.失效分析：应用ASTMF1243-2018失效模式判定准则
检测设备
1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A高压大电流测试2.TektronixDMM6500数字万用表：6位分辨率导通电阻测量3.Chroma19032功率器件测试系统：集成动态参数测试模块4.AgilentN6705C直流电源分析仪：多通道栅极驱动供电5.FlukeTi401PRO热像仪：热分布成像精度1℃6.Keithley2636B源表：纳安级漏电流测试能力7.Rohde&SchwarzRTO2044示波器：4GHz带宽开关特性分析8.ESPECPL-3KPH温度冲击箱：-70℃~+180℃循环测试9.HiokiIM3590阻抗分析仪：10μHz~200kHz跨导测量10.ThermoScientificHeliosG4PFIB：纳米级失效定位分析
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
