检测项目

1.电流放大系数（hFE）：测试范围10-1000@Ic=1mA-10A/Vce=1-50V2.击穿电压（VCEO/BVceo）：直流耐压测试范围5V-1500V@Ic=1mA3.饱和压降（VCEsat）：测量精度0.5mV@Ic=100A4.反向漏电流（ICBO/IEBO）：分辨率1nA@Vcb=30V5.开关时间（ton/toff）：时间分辨率0.1ns@Ic=5A

检测范围

1.硅基NPN/PNP型通用双极晶体管2.锗基低频大功率晶体管3.高频微波晶体管（fT≥8GHz）4.光敏双极复合晶体管5.耐压超过1200V的达林顿功率模块

检测方法

1.ASTMF533-2019：热阻特性曲线测试规范2.IEC60747-2:2021：分立器件动态参数测量标准3.GB/T4587-1994：半导体三极管测试方法4.JEDECJESD77D：可靠性寿命试验规程5.MIL-STD-750F：军用级环境适应性试验

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：I-V/C-V特性曲线扫描2.TektronixDMM4040数字万用表：hFE精确测量模块3.Chroma19032功率器件测试系统：动态参数综合测试平台4.ThermoScientificT3Ster结构函数分析仪：热阻特性表征5.Agilent81150A脉冲发生器：开关时间测试信号源6.ESPECPL-3K环境试验箱：温度循环(-65℃~+175℃)7.HiokiIM3590阻抗分析仪：寄生电容/电感测量8.Fluke289真有效值万用表：漏电流精密检测9.NIPXIe-4143源测量单元：多通道并行测试系统10.ThermoRamseyTHz1000太赫兹成像仪：芯片内部缺陷探测

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。