检测项目

1.存储单元电阻测试：测量范围10Ω-10MΩ0.5%精度2.读写耐久性验证：循环次数≥1E6次@25℃3℃3.数据保持时间测试：温度85℃2℃/湿度85%RH条件下≥10年等效4.信号完整性分析：上升时间≤1ns@3.3V工作电压5.温度特性曲线：-55℃至+150℃范围内ΔR/R≤5%

检测范围

1.硅基DRAM/SRAM存储芯片2.三维NANDFlash堆叠存储器3.铁电存储器(FRAM)4.磁性随机存储器(MRAM)5.相变存储器(PCRAM)

检测方法

1.ASTMF1242-2018半导体存储器件电阻测试标准2.ISO16750-4:2010道路车辆电气环境试验标准3.GB/T15844-2021半导体存储器通用规范4.JEDECJESD22-A117E高温存储寿命试验方法5.GB/T2423.17-2008盐雾试验标准

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持IV/CV/脉冲特性测试2.AdvantestT2000存储测试系统：最大支持32通道并行测试3.ThermoStreamT-2600温度冲击试验箱：温变速率50℃/s4.Chroma11200高速信号发生器：带宽20GHz@采样率50GSa/s5.Agilent4294A精密阻抗分析仪：频率范围40Hz-110MHz6.ESPECSH-641恒温恒湿箱：控温精度0.5℃7.TektronixDPO73304S示波器：33GHz带宽@100GS/s采样率8.HIOKIIM3590化学阻抗分析仪：测量精度0.05%9.CascadeSummit12000探针台：支持300mm晶圆级测试10.ThermoScientificESCALABXi+表面分析系统：XPS分辨率≤0.45eV

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。