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光半导体检测

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文章概述:检测项目1.光电转换效率:测量波长范围380-1100nm,功率密度100mW/cm条件下转换效率偏差≤1.5%2.光谱响应范围:扫描波长200-2000nm区间量子效率曲线,分辨率≤1nm3.暗电流特性:反向偏压5V时暗电流密度≤1nA/cm4.热阻系数:结温升ΔT≤15℃/W(稳态法测试)5.发光均匀性:芯片表面照度分布差异≤8%(积分球法测量)检测范围1.LED芯片:GaN基蓝光/紫外芯片、AlGaInP红光芯片2.激光二极管:808nm泵浦激光器、VCSEL阵列器件3.光电探测器:InGaAs雪崩

检测项目

1.光电转换效率:测量波长范围380-1100nm,功率密度100mW/cm条件下转换效率偏差≤1.5%2.光谱响应范围:扫描波长200-2000nm区间量子效率曲线,分辨率≤1nm3.暗电流特性:反向偏压5V时暗电流密度≤1nA/cm4.热阻系数:结温升ΔT≤15℃/W(稳态法测试)5.发光均匀性:芯片表面照度分布差异≤8%(积分球法测量)

检测范围

1.LED芯片:GaN基蓝光/紫外芯片、AlGaInP红光芯片2.激光二极管:808nm泵浦激光器、VCSEL阵列器件3.光电探测器:InGaAs雪崩二极管、Si-PIN光电传感器4.太阳能电池:单晶硅PERC电池、钙钛矿叠层电池5.光纤通信模块:EML调制激光器、APD接收组件

检测方法

1.ASTME1021-15:半导体材料少子寿命测试规程2.ISO22140:2020:光电器件加速老化试验方法3.GB/T31358-2015:LED模块光通量维持率测试4.IEC60747-5-3:分立器件光电参数测试标准5.JESD22-A108F:温度循环可靠性试验规范

检测设备

1.KeysightB2902A精密源表:IV特性曲线测量(分辨率0.1fA)2.OceanOpticsHR4000光谱仪:200-1100nm光谱分析(光学带宽0.75nm)3.TASystemT3Ster热阻测试仪:瞬态结温测量(精度0.5℃)4.Agilent4155C半导体参数分析仪:多通道电学特性测试5.LabsphereLMS-9000积分球系统:光通量测量(直径2m)6.ThermoScientificESCALABXi+XPS:表面元素化学态分析7.FEIHeliosG4UXFIB-SEM:纳米尺度结构缺陷观测8.CascadeSummit12000探针台:晶圆级光电参数测试9.ESPECPCT-322耐候试验箱:双85加速老化试验(温度85℃/湿度85%)10.HamamatsuC12132光电响应测试系统:纳秒级时间分辨特性分析

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

光半导体检测
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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