检测项目

1.表面形貌分析：分辨率≤1nm，加速电压范围5-20kV2.晶体取向测定：EBSD角分辨率≤0.5，样品倾角703.元素成分定性/定量：能谱仪（EDS）探测限≥0.1wt%，束斑尺寸≤5nm4.薄膜厚度测量：误差2nm（适用于10-500nm薄膜层）5.缺陷结构表征：支持裂纹/孔洞尺寸测量（精度0.3nm）

检测范围

1.金属材料：铝合金晶界分析、钢中夹杂物分布2.半导体器件：集成电路线宽测量、硅片表面污染检测3.陶瓷材料：晶粒尺寸统计（范围50nm-50μm）、孔隙率计算4.生物样品：脱钙骨组织微结构观察（需低真空模式）5.复合材料：纤维-基体界面结合状态评估

检测方法

ASTME1504-2011电子显微镜校准规程ISO16700:2016微束分析-扫描电镜图像放大校准GB/T27788-2020微束分析标准方法通则ISO22493:2019微束分析-扫描电镜能谱定量分析GB/T36422-2018表面化学分析-扫描电镜能谱通则

检测设备

1.ZEISSGeminiSEM500：场发射电子源，分辨率0.6nm@15kV2.HitachiRegulus8230：冷场发射技术，支持12通道EDS3.ThermoScientificApreo2S：低真空模式（10-2000Pa）4.JEOLJSM-7900F：束流稳定性≤0.4%/h，最大放大率1,000,0005.TESCANMIRALMS：集成EBSD系统（HikariXP探测器）6.NikonEclipseLV150NL：大型样品室（Φ200mm80mm）7.BrukerQuantaxEDS：硅漂移探测器（能量分辨率129eV）8.OxfordInstrumentsAZtecLive：实时元素面分布成像系统9.GatanMonoCL4：阴极荧光光谱采集系统（波长200-1600nm）10.KLAeDR7000：自动缺陷复查系统（定位精度50nm）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。