- By 中析研究所
- 2025-05-28 08:56:34
检测项目1.菌核形态学分析：测量直径（0.5-3mm）、颜色（黑色至深褐色）、表面纹路（粗糙度≤50μm）2.致病菌特异性基因鉴定：扩增ITS区域（长度500-600bp）、β-tubulin基因序列比对3.分生孢子浓度测定：悬浮液浓度≥110^5CFU/g为阳性阈值4.菌丝生长抑制率：基于EC50值评估药剂敏感性（浓度梯度0-100μg/mL）5.抗性基因表达量检测：RsPH1B基因相对表达量≥2.0判定为抗性表型检测范围1.菊芋块茎样本（鲜样含水量≥70%）2.染病茎叶组织（病斑直径≥5mm）3.田间
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- By 中析研究所
- 2025-05-28 08:56:29
检测项目1.挥发性有机物（VOCs）总量分析：苯系物、醛酮类等12种组分定量检测，浓度范围0.1-1000μg/m2.重金属元素含量测定：铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)等8项指标，检出限达0.01ppm3.甲醛释放量测试：温度231℃/湿度505%条件下连续监测24小时4.PM2.5/PM10质量浓度监测：粒径切割精度0.3μm，量程0-1000μg/m5.噪声污染水平评估：A计权声级测量范围30-120dB(A)，分辨率0.1dB检测范围1.建筑材料类：涂料、胶粘剂、人造板材的TVOC释放量2.工业
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- By 中析研究所
- 2025-05-28 08:56:26
检测项目1.氧气浓度梯度测试：90%-99.5%浓度范围控制精度0.3%2.曝气系统密封性验证：泄漏率≤0.05%vol/h3.材料氧化速率测定：单位时间质量损失量（mg/cmh）4.气体扩散系数分析：达西定律计算渗透率（m/s）5.温升效应监测：环境温度20-40℃波动控制1℃检测范围1.污水处理系统曝气装置（微孔曝气器/旋混式曝气头）2.医疗供氧设备密封组件（硅胶管路/金属阀门）3.工业燃烧器富氧喷嘴（陶瓷涂层/耐高温合金）4.水族养殖增氧膜组件（高分子聚合物薄膜）5.
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- 2025-05-28 08:56:09
检测项目1.形态特征鉴定：成虫体长4.5-6.0mm，体色黄绿至褐色；前胸背板具黑色碎斑；触角4节。2.分子生物学检测：COI基因序列比对（目标片段658bp），相似度≥99%判定为阳性。3.卵形态分析：卵长1.0-1.2mm，乳白色半透明，表面具网格状纹路。4.危害症状识别：植物幼果表面蛀孔直径0.3-0.8mm，伴生褐色坏死斑。5.抗药性监测：乙酰胆碱酯酶活性测定（抑制率≥70%为敏感品系）。检测范围1.农产品类：玉米、大豆、棉花等经济作物及其加工品。2.木材及木制品：原木、板材的虫孔残留物筛查。3.
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- By 中析研究所
- 2025-05-28 08:55:55
检测项目1.纯度分析：总杂质含量≤0.5%，金属杂质（Fe、Ni、Cu）单项≤50ppm2.晶体结构分析：XRD法测定晶胞参数a=3.820.02，空间群Pm-3m3.元素比例测定：Re:O:F摩尔比1:3:10.054.热稳定性测试：TG-DSC联用测定分解温度≥450℃5.表面形貌表征：SEM观测粒径分布0.5-2μm占比≥90%检测范围1.石油化工催化剂：含ReO3F的加氢脱硫催化剂体系2.半导体前驱体：高纯ReO3F薄膜沉积材料3.高温合金添加剂：航空发动机用Re基合金母材4.电化学器件：固体氧化
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- By 中析研究所
- 2025-05-28 08:55:26
检测项目1.波长准确度：测量值与标称值偏差≤0.001nm（@1550nm波段）2.重复性误差：连续10次测量标准差≤0.0005nm3.光谱分辨率：可解析最小波长间隔≥0.002nm4.动态范围：最大可测光功率30dBm至-70dBm5.温度稳定性：在-10℃~50℃范围内波长漂移≤0.005nm检测范围1.半导体激光器（DFB/FP/VCSEL）的发射波长特性2.光纤布拉格光栅（FBG）的反射谱中心波长3.光学薄膜滤光片的透射/反射谱带通特性4.拉曼光谱仪的光源波长校准5.量子级联激光器的中红外波段测
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- By 中析研究所
- 2025-05-28 08:55:20
检测项目1.焊缝宽度偏差：允许公差1.5mm（板厚≤20mm）2.余高控制：平焊部位≤3mm，角焊部位≤4mm3.咬边深度：母材厚度＜12mm时≤0.5mm4.气孔缺陷：单个气孔直径≤2mm且每米焊缝≤3个5.裂纹长度：热影响区裂纹总长≤焊缝长度的8%6.熔深率：对接焊缝≥70%板厚（板厚＞6mm）检测范围1.碳钢结构箱体（Q235B/Q345R）2.不锈钢压力容器（SUS304/316L）3.铝合金框架（6061-T6/5083-H112）4.电力设备密封箱体（IP54防护等级）5.轨道交通设备承载箱体
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- By 中析研究所
- 2025-05-28 08:55:02
检测项目1.晶体尺寸分析：测量范围50nm-500μm，分辨率2nm（SEM模式）2.晶格常数测定：精度达0.0001（XRD法），覆盖立方/六方/四方晶系3.结晶度计算：采用分峰法计算非晶相占比（误差≤1.5%）4.位错密度评估：TEM明场像统计法（密度范围10^6-10^12/cm）5.取向分布函数：EBSD采集步长0.05-5μm（角度分辨率0.5）检测范围1.半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)基片2.金属凝固组织：铝合金(AA6061)、钛合金(Ti-6Al-4V)枝
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