检测项目

1.电流-电压特性曲线（I-VCurve）：测量电压范围0.1V-5V，步进精度0.01V

2.隧穿电流密度（TunnelingCurrentDensity）：测试范围1pA/cm-10mA/cm

3.击穿场强（BreakdownField）：测量精度0.1MV/cm

4.温度依赖性（TemperatureDependence）：温控范围-196℃~300℃，精度0.5℃

5.时间相关介电击穿（TDDB）：测试时长1000小时级，时间分辨率1μs

检测范围

1.III-V族半导体材料（GaAs,InP等）异质结结构

2.二维材料（石墨烯/六方氮化硼异质结构）

3.高k介质薄膜（HfO₂,Al₂O₃等）栅极堆栈

4.磁性隧道结（MTJ）存储单元

5.分子电子器件自组装单层膜

检测方法

1.ASTMF617M-15：薄膜介质隧穿电流标准化测试规程

2.ISO16700:2016：纳米尺度电性能分析的探针台方法

3.GB/T20234.3-2015：半导体器件隧穿特性测试通用要求

4.JESD35-A：超薄氧化物TDDB测试标准

5.IEC62660-3：纳米结构界面势垒评估方法

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪：支持0.1fA-1A宽量程测量

2.CascadeSummit12000探针台：配备电磁屏蔽室和真空卡盘

3.LakeShoreCRX-4K低温探针系统：实现4K超低温环境测试

4.Agilent4156C精密源表：具备10nV电压分辨能力

5.Keithley4200A-SCS参数分析仪：集成脉冲I-V测试模块

6.OxfordInstrumentsTeslatronPT：9T超导磁体系统

7.ZygoNewView9000白光干涉仪：薄膜厚度在线监测

8.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：导电AFM模式隧穿电流成像

9.ThermoFisherHeliosG4UX聚焦离子束：纳米结构剖面制备

10.HitachiHF5000冷场发射电镜：原子级界面形貌表征

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。