检测项目

1.化学成分分析：测定硼（B≤0.1ppm）、磷（P≤0.3ppm）、碳（C≤5ppm）等杂质含量2.晶体结构表征：晶粒尺寸（10-100μm）、晶界角度（15-45）及取向分布3.电学性能测试：电阻率（0.5-5Ωcm）、少子寿命（≥50μs）及载流子浓度4.缺陷密度评估：位错密度（≤10^4/cm）、层错率（＜0.1%）及微裂纹分布5.热学性能检测：热膨胀系数（2.610^-6/K）、导热率（150W/mK）及高温稳定性

检测范围

1.太阳能级多晶硅锭（G1-G12尺寸规格）2.电子级高纯多晶硅棒（纯度≥99.9999%）3.铸造多晶硅片（厚度160-200μm）4.冶金法提纯多晶硅料（Si≥99.99%）5.回收再生多晶硅原料（杂质总量≤50ppm）

检测方法

1.ASTME1217-21《硅材料中杂质元素的光谱分析法》2.ISO15303:2018《多晶硅晶体缺陷的X射线衍射测定法》3.GB/T24582-2021《多晶硅表面金属杂质含量测定方法》4.ASTMF723-19《半导体级硅电阻率测试规程》5.GB/T37049-2018《电子级多晶硅中碳含量的测定》

检测设备

1.辉光放电质谱仪（GDMS,ThermoFisherELEMENTGD）：痕量元素分析精度达ppb级2.X射线衍射仪（XRD,PANalyticalEmpyrean）：晶体结构分析分辨率0.00013.四探针电阻测试仪（LucasLabsSYS-301）：测量范围0.001-10000Ωcm4.扫描电子显微镜（SEM,JEOLJSM-7900F）：分辨率1nm的微观形貌观测5.傅里叶红外光谱仪（FTIR,BrukerVERTEX80v）：碳氧含量检测下限0.01ppma6.少子寿命测试仪（SemilabWT-2000）：μs级载流子寿命测量7.热重分析仪（TGA,NetzschSTA449F3）：高温稳定性测试范围RT-1600℃8.激光粒度分析仪（MalvernMastersizer3000）：晶粒尺寸分布测量精度0.1μm9.X射线荧光光谱仪（XRF,ShimadzuEDX-7000）：快速成分分析速度≤3min/样10.超声波探伤仪（OlympusEPOCH650）：微裂纹检出灵敏度0.1mm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。