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无序晶体检测

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文章概述:检测项目1.晶格畸变率:通过XRD测定晶面间距偏移量(Δd/d≤0.15%)2.非晶相含量:采用DSC法计算焓变值(5%-95%精度1.5%)3.缺陷密度:TEM观测位错线密度(10⁶-10cm⁻)4.短程有序度:EXAFS分析配位数偏差(0.8)5.热稳定性:TGA测定玻璃转变温度(Tg2℃)6.应力分布:同步辐射CT扫描三维残余应力(0.1-500MPa)检测范围1.金属合金:钛基非晶合金、高熵合金铸件2.高分子材料:聚醚醚酮注塑件、聚酰亚胺薄膜3.陶瓷复合材料:氮化硅轴承球、氧化锆牙科修复体4.半导

检测项目

1.晶格畸变率:通过XRD测定晶面间距偏移量(Δd/d≤0.15%)2.非晶相含量:采用DSC法计算焓变值(5%-95%精度1.5%)3.缺陷密度:TEM观测位错线密度(10⁶-10cm⁻)4.短程有序度:EXAFS分析配位数偏差(0.8)5.热稳定性:TGA测定玻璃转变温度(Tg2℃)6.应力分布:同步辐射CT扫描三维残余应力(0.1-500MPa)

检测范围

1.金属合金:钛基非晶合金、高熵合金铸件2.高分子材料:聚醚醚酮注塑件、聚酰亚胺薄膜3.陶瓷复合材料:氮化硅轴承球、氧化锆牙科修复体4.半导体薄膜:非晶硅光伏层、锗锑碲相变存储器5.生物医用材料:羟基磷灰石涂层、可降解镁合金支架

检测方法

1.X射线衍射法:ASTME1426-14测定晶格畸变2.拉曼光谱法:ISO21501-4评估短程有序度3.透射电子显微镜:GB/T23414-2009观测位错网络4.差示扫描量热法:GB/T19466.3-2004计算结晶度5.小角中子散射:ISO17853:2011分析纳米尺度有序域6.正电子湮灭谱:ASTMF2214-08测定空位型缺陷

检测设备

1.PANalyticalEmpyreanX射线衍射仪:配备高温附件(25-1600℃)2.TAInstrumentsQ2000差示扫描量热仪:温度分辨率0.1℃3.FEITalosF200X透射电镜:STEM模式分辨率0.16nm4.BrukerD8ADVANCE同步辐射CT系统:空间分辨率0.5μm5.RenishawinViaQontor拉曼光谱仪:532/785nm双激光源6.NetzschSTA449F5同步热分析仪:TGA-DSC联用模块7.MalvernZetasizerNanoAPS小角散射仪:q范围0.06-30nm⁻8.ORTECHPGe伽马谱仪:正电子湮灭寿命测量精度50ps9.ShimadzuAIM-9000红外显微镜:空间分辨率1μm@128128像素10.OxfordInstrumentsAztecEnergyEDS系统:元素面分布分析

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

无序晶体检测
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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