内容页头部

铟锡氧化物导电性测试

因您的需求、实验方案、检测样品、测试过程不同,相应的参考标准请咨询在线工程师!

文章概述:铟锡氧化物(ITO)作为一种透明导电材料,其导电性测试核心在于电学性能参数的精确测量。关键检测项目包括方阻、电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率,采用四探针法和霍尔效应测试。此外,光学透光率、薄膜厚度及成分分析确保材料在显示器件和光伏应用中的性能一致性。测试遵循ASTM F43、ISO 1853等标准,通过非接触式测量避免薄膜损伤,保障数据准确性。

检测项目

电学性能检测:

  • 方阻测试:方阻值(范围1-1000Ω/□,参照ASTMF43-20)
  • 电阻率测量:体积电阻率(10^-4至10^3Ω·cm)、表面电阻率(ISO1853:2018)
  • 霍尔效应分析:载流子浓度(10^17-10^21cm^-3)、霍尔迁移率(≥10cm²/V·s)
光学性能检测:
  • 透光率测试:可见光透光率(380-780nm波长,≥85%)、雾度值(≤1.5%)
  • 反射率测量:镜面反射率(角度60°,参照ASTMD523-14)、漫反射率(ISO9050:2003)
厚度与均匀性检测:
  • 薄膜厚度:平均厚度(50-500nm,公差±5nm)、厚度均匀性(CV值≤3%)
  • 表面粗糙度:Ra值(≤2nm,参照ISO4287:1997)、RMS粗糙度(AFM测量)
成分分析检测:
  • 元素含量:铟含量(90-95wt%)、锡含量(5-10wt%)、氧含量(XPS分析)
  • 杂质检测:铁杂质(≤50ppm)、铜杂质(≤20ppm,参照GB/T12689.12-2021)
机械性能检测:
  • 附着力测试:划格法附着力(等级≥4B,ASTMD3359-17)、剥离强度(≥5N/cm)
  • 硬度测量:纳米压痕硬度(2-5GPa)、弹性模量(100-200GPa)
热学性能检测:
  • 热稳定性:热膨胀系数(5-8×10^-6/K)、玻璃转变温度(DSC测量)
  • 导热系数:热导率(1-5W/m·K,参照ISO22007-2:2015)
环境可靠性检测:
  • 耐湿性测试:湿度循环(85°C/85%RH,1000小时,电阻变化率≤5%)
  • 高温老化:150°C持续老化(500小时,性能衰减≤10%)
表面形貌检测:
  • 微观结构:晶粒尺寸(SEM分析,50-100nm)、孔隙率(≤0.1%)
  • 表面缺陷:针孔密度(≤100个/cm²)、划痕检测(光学显微镜)
电化学性能检测:
  • 腐蚀性能:电化学阻抗谱(EIS)、极化曲线(NaCl溶液,3.5wt%)
  • 功函数测量:紫外光电子能谱(UPS,范围4-5eV)
功能性测试:
  • 柔性测试:弯曲循环(半径5mm,10000次,电阻变化≤15%)
  • 接触电阻:电极接触电阻(≤0.1Ω·cm²,四线法测量)

检测范围

1.ITO薄膜:用于显示器件和触摸屏,重点检测方阻均匀性和透光率,确保光学电学一致性。

2.ITO玻璃基板:覆盖钠钙玻璃和硼硅酸盐玻璃,检测重点为表面电阻率和热稳定性,适应高温处理工艺。

3.ITO柔性基板:包括PET和PEN薄膜,侧重柔性疲劳测试和附着力,防止弯曲开裂。

4.ITO靶材:烧结和热压靶材,检测成分均匀性和密度,保障溅射薄膜质量。

5.ITO纳米粉末:用于印刷电子,重点检测粒径分布(20-100nm)和分散性,避免团聚影响导电性。

6.ITO涂层器件:如太阳能电池和OLED,检测界面接触电阻和耐久性,优化能效。

7.ITO复合材料:与聚合物或金属复合,检测电学性能衰减和相容性,适用于柔性电子。

8.ITO图案化薄膜:光刻制备的微图案,检测线宽精度(±1μm)和绝缘区电阻,用于微电路。

9.ITO透明电极:用于光电设备,重点检测透光率与方阻的平衡(FoM值≥300)和表面平整度。

10.ITO再生材料:回收铟锡氧化物,检测杂质含量和性能恢复率,确保循环利用可行性。

检测方法

国际标准:

  • ASTMF43-20半导体材料电阻率测试方法
  • ISO1853:2018导电橡胶电阻率测量
  • ISO9050:2003玻璃透光率测试
  • ASTMD3359-17胶带附着力测试
  • ISO22007-2:2015塑料导热系数测量
国家标准:
  • GB/T12689.12-2021锌及锌合金化学分析方法
  • GB/T17473.5-2008微电子玻璃薄膜测试
  • GB/T20247-2006光谱椭偏仪测量薄膜厚度
  • GB/T31369-2015透明导电薄膜性能测试
  • GB/T34520-2017柔性电子材料弯曲测试
方法差异说明:国际标准如ASTMF43优先使用四探针法,而GB/T31369可能涉及更多环境条件模拟;ISO标准通常强调非破坏性测试,而国标可能包含更严格的湿度控制要求。

检测设备

1.四探针测试仪:Keithley2450型(电阻测量范围0.1μΩ至20MΩ,精度±0.1%)

2.霍尔效应测试系统:LakeShore8404型(磁场强度0-2T,温度范围77-400K)

3.紫外-可见分光光度计:ShimadzuUV-2600型(波长范围190-1400nm,分辨率0.1nm)

4.椭偏仪:J.A.WoollamM-2000XI型(薄膜厚度测量精度±0.1nm,折射率范围1.3-2.5)

5.扫描电子显微镜:HitachiSU5000型(分辨率1nm,加速电压0.5-30kV)

6.X射线光电子能谱仪:ThermoScientificK-Alpha型(元素分析深度10nm,能量分辨率0.5eV)

7.原子力显微镜:BrukerDimensionIcon型(扫描范围100μm,分辨率原子级)

8.纳米压痕仪:KeysightG200型(载荷范围0.1-500mN,位移分辨率0.01nm)

9.热分析系统:NETZSCHSTA449F3型(温度范围室温-1600°C,DSC/TG同步测量)

10.环境试验箱:ESPECSH-642型(温度范围-70°C至150°C,湿度控制10-98%RH)

11.电化学工作站:Bio-LogicVMP-300型(电流范围±1A,频率范围10μHz-1MHz)

12.柔性测试机:Instron5943型(弯曲角度0-180°,循环次数可达10^6次)

13.直读光谱仪:OBLFQSN750-II型(元素检测限0.0001%,分析时间20秒)

14.表面轮廓仪:KLATencorP-17型(垂直分辨率0.1nm,扫描长度50mm)

15.激光粒度分析仪:MalvernMastersizer3000型(粒径范围0.01-3500μm,精度±1%)

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

铟锡氧化物导电性测试
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

全站搜索

中析研究所