检测项目

1.位错密度测定：测量单位体积内位错线总长度（单位：cm⁻），精度要求≤110⁶cm⁻2.位错分布均匀性分析：采用EBSD技术统计晶界5nm范围内位错密度偏差值（阈值＜15%）3.位错运动激活能测试：通过热激活实验测定临界剪切应力（范围0.1-5GPa）4.位错交互作用能计算：基于分子动力学模拟计算相邻位错间距≤10nm时的结合能（单位：eV）5.动态位错行为监测：采用高速TEM记录应变速率10⁻~10⁻⁶s⁻下的位错脱离过程

检测范围

1.金属结构材料：包括铝合金（AA6061-T6）、钛合金（Ti-6Al-4V）等变形合金2.半导体单晶材料：硅(Si)、砷化镓(GaAs)等直径≥200mm的晶圆3.高温合金部件：航空发动机涡轮叶片用镍基合金（IN718）4.复合材料界面：碳纤维/环氧树脂界面过渡区（厚度≤500nm）5.纳米结构金属：晶粒尺寸≤100nm的超细晶铜

检测方法

1.ASTME112-13：标准晶粒度测定中的位错密度推算方法2.ISO24173:2009：电子背散射衍射(EBSD)分析晶体缺陷规范3.GB/T13298-2015：金属显微组织检验方法的位错蚀刻技术4.ASTMF1811-97(2019)：X射线衍射法测定位错密度的标准规程5.ISO22266-1:2020：透射电镜(TEM)定量表征位错的通用准则

检测设备

1.透射电子显微镜：JEOLJEM-ARM200F（原子级分辨率0.08nm）2.X射线衍射仪：BrukerD8ADVANCE（Cu靶Kα辐射λ=0.15406nm）3.电子背散射衍射系统：OxfordInstrumentsSymmetryS2（分辨率≤50nm）4.聚焦离子束系统：ThermoFisherScios2DualBeam（加工精度3nm）5.纳米压痕仪：AgilentG200（载荷分辨率10nN）6.高温拉伸试验机：Instron8862（最高温度1200℃）7.激光共聚焦显微镜：KeyenceVK-X3000（Z轴分辨率0.1nm）8.分子动力学模拟平台：LAMMPS（支持百万原子级建模）9.同步辐射光源线站：上海光源BL14B1（能量范围5-20keV）10.原子探针层析仪：CAMECALEAP5000XR（质量分辨率m/Δm≥2000）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。