检测项目
区域提纯检测主要针对高纯度材料的杂质控制与分布分析，包含以下关键项目：
材料基底纯度检测：测定金属/半导体材料的初始杂质含量
区域定向提纯效率分析：评估特定区域的杂质去除率
微观晶体缺陷检测：识别提纯过程中产生的位错与空位
杂质再分布图谱：建立三维空间内的杂质浓度梯度模型
表面氧化层分析：检测提纯处理后表面氧化物的组成与厚度
检测范围
| 材料类型 | 适用规格 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 超高纯金属 （铜、铝、钛等） | 纯度≥99.999% 尺寸≤Φ200mm | 半导体靶材、真空镀膜 |
| 半导体晶体 （硅、砷化镓等） | 晶向偏差≤0.5° 电阻率0.001-100Ω·cm | 集成电路、光伏电池 |
| 特种合金 （镍基高温合金等） | 成分偏差±0.05at% 晶粒度3-8级 | 航空发动机叶片制造 |
检测方法
1. 二次离子质谱法（SIMS）
使用
5keV氧离子束
2. 辉光放电质谱（GD-MS）
通过
氩等离子体溅射
3. 透射电子显微镜（TEM）
配备
电子能量损失谱仪（EELS）
4. 激光诱导击穿光谱（LIBS）
采用
266nm脉冲激光
检测仪器
Thermo Fisher iCAP RQ ICP-MS
质量范围：2-270amu
检测限：0.1ppt（对Cd元素）
质量分辨率：0.3-0.8amu
Cameca IMS 7f-Auto
空间分辨率：200nm
检出灵敏度：1e15 atoms/cm³
深度分析速率：1μm/min
Zeiss GeminiSEM 500
电子束电压：0.02-30kV
空间分辨率：0.8nm@15kV
能谱检测范围：Boron-Uranium
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