检测项目

1. 总剂量效应(TID)：测量器件在10 krad(Si)至1 Mrad(Si)范围内的累积损伤阈值

2. 单粒子效应(SEE)：验证LET值在0.1-120 MeV·cm²/mg区间的翻转截面曲线

3. 位移损伤(DDD)：监测1×10¹⁰至1×10¹⁵ n/cm²中子注量下的性能退化

4. 剂量率效应：评估0.01-100 rad(Si)/s范围内的瞬态响应特性

5. 电磁脉冲耦合：测试10 kV/m至50 kV/m场强下的系统抗扰度

检测范围

1. 半导体器件：包括CPU、FPGA、存储器等抗辐射芯片

2. 航天电子系统：卫星载荷控制单元、星载计算机

3. 核电站设备：反应堆监控传感器、安全级仪控模块

4. 光电材料：CCD/CMOS图像传感器、光纤传输介质

5. 封装材料：陶瓷封装基板、抗辐射环氧树脂

检测方法

1. ASTM F1892-12：半导体器件γ射线总剂量测试标准

2. ISO 15856:2010：空间系统单粒子效应地面模拟规范

3. GB/T 10257-2001：辐射防护用γ射线剂量测量方法

4. MIL-STD-750-3：军用器件中子辐射试验程序

5. ECSS-Q-ST-60-15C：欧洲空间局位移损伤测试标准

检测设备

1. Model 4710钴源辐照装置（美国AEC公司）：提供0.1-300 rad/s剂量率

2. TANDEM加速器（日本JAEA）：实现10-200 MeV质子束流辐照

3. Thermo Scientific RadEye PRD剂量计：实时监测0.01μGy-10Gy剂量

4. Keysight B1500A半导体分析仪：完成nA级漏电流精确测量

5. FLIR SC7000红外热像仪：捕捉器件瞬态热响应特性

6. ORTEC HPGe γ谱仪：分析材料活化产物同位素组成

7. NI PXIe-4139源测量单元：执行μs级瞬态电流脉冲采集

8. FEI Helios G4 FIB：开展纳米级辐射损伤微观分析

9. Agilent N9020B信号分析仪：验证50MHz-26.5GHz频段电磁敏感度

10. Bruker D8 ADVANCE XRD：表征晶格位移缺陷密度

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。