检测项目

• 晶格常数测定：精度±0.0001 nm（立方晶系a/b/c轴）

• 取向偏差分析：角度分辨率≤0.01°（EBSD技术）

• 层错密度计算：灵敏度达10^3 cm^-2（XRD摇摆曲线法）

• 织构系数测定：ODF分析精度±0.5%

• 亚晶界角度分布：测量范围0.5°-15°（Kikuchi衍射模式）

检测范围

• 半导体材料：硅基芯片（<111>/<100>取向）、GaN外延层

• 金属合金：钛合金叶片（α/β相分布）、高熵合金多相结构

• 功能陶瓷：压电陶瓷（PZT相变分析）、透明氧化铝

• 薄膜涂层：DLC涂层应力梯度（0.1-5 GPa量程）

• 纳米材料：量子点超晶格（2-10 nm周期结构）

检测方法

• ASTM E112-13：晶粒尺寸定量金相分析法

• ISO 24173:2009：电子背散射衍射取向测量规范

• GB/T 13305-2008：金属材料X射线衍射宏观应力测试

• ISO 22278:2020：透射电镜选区衍射标定规程

• GB/T 39489-2020：晶体学取向电子背散射衍射分析方法

检测设备

• PANalytical Empyrean X射线衍射仪：配备PIXcel3D探测器，实现0-160° 2θ角连续扫描

• TESCAN MIRA4 SEM-EBSD系统：分辨率1.2 nm@30 kV，Hikari高速CCD相机

• Bruker D8 DISCOVER X射线应力分析仪：ψ角测量范围±45°，精度±0.1°

• JEOL JEM-ARM300F球差校正电镜：点分辨率0.08 nm，支持4D-STEM模式

• Oxford Instruments Symmetry EBSD探测器：采集速度4000点/秒（全模式）

• Rigaku SmartLab XRD系统：平行光路设计（0.02°发散角），高温附件达1600℃

• Zeiss Crossbeam 550 FIB-SEM联用系统：离子束加工精度±5 nm定位

• Malvern Panalytical X'Pert3 MRD XL高分辨衍射仪：三轴测角器重复性±0.0001°

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。