检测项目

1.直流电流增益（hFE）：测量集电极电流与基极电流比值范围（20-1000倍）2.击穿电压（V(BR)CEO）：测试集电极-发射极反向击穿电压（5V-1500V）3.漏电流（ICEO）：检测截止状态下集电极-发射极漏电流（nA级至μA级）4.开关时间（ton/toff）：记录导通/关断时间参数（ns级至μs级）5.热阻值（RθJC）：测量结壳间热阻系数（0.1-10℃/W）

检测范围

1.双极型晶体管（BJT）：包括NPN/PNP结构分立器件2.场效应晶体管（FET）：涵盖JFET/MOSFET/IGBT等类型3.功率晶体管：适用于500W以上大功率器件4.高频晶体管：工作频率≥1GHz的微波器件5.光电晶体管：集成光敏单元的特殊结构器件

检测方法

1.ASTMF1248-2016：半导体器件热特性测试标准2.IEC60747-9：分立器件电参数测量规范3.GB/T4587-2019：半导体分立器件测试方法4.JEDECJESD24：高频参数测试程序5.ISO16750-2：汽车级器件环境可靠性验证

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：支持1700V/1500A高压大电流测试2.TektronixDMM4040精密万用表：6位分辨率电流/电压测量3.Chroma19032功率分析仪：动态开关特性测试系统4.FlukeTi480红外热像仪：非接触式结温监测装置5.Agilent4294A阻抗分析仪：40Hz-110MHz频率特性分析6.ThermoScientificT3Ster结构函数分析仪：瞬态热阻测试系统7.ESPECPL-3K环境试验箱：温度循环(-70℃~+180℃)测试8.HiokiIM3590化学阻抗计：封装材料介电特性分析9.OlympusMX63金相显微镜：2000倍微观结构观测10.AdvantestU3242高速示波器：10GHz带宽时域信号采集

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。