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芯片封装热阻检测

因您的需求、实验方案、检测样品、测试过程不同,相应的参考标准请咨询在线工程师!

文章概述:芯片封装热阻检测通过稳态与瞬态双路径,精准获取结-壳、结-板、结-环热阻及热界面材料导热系数,为功率密度攀升下的可靠性设计提供数据闭环。

检测项目

1.结-壳热阻:稳态法、瞬态法、双界面法、结温扫描、壳温扫描、线性拟合、截距修正、误差带评估、置信区间、重复性验证。

2.结-板热阻:四层板结构、六层板结构、埋铜板、金属基板、微孔阵列、铜厚梯度、阻焊开窗、测试点布局、热电偶布设、等温线修正。

3.结-环热阻:自然对流、强制对流、风洞风速、腔体高度、散热器耦合、导热垫压缩量、界面空隙率、辐射屏蔽、环境温度扫描、稳态判定。

4.热界面材料热阻:硅脂、相变片、导热胶、石墨膜、液态金属、厚度扫描、压力加载、粗糙度适配、老化前后对比、热阻-压力曲线。

5.瞬态热阻抗:脉冲宽度、占空比、采样间隔、去卷积算法、福斯特模型、考尔模型、热容提取、时间常数谱、累积结构函数、微分结构函数。

6.热扩散系数:激光闪射、红外测温、面扫描、层间解析、各向异性、纤维取向、填充颗粒、基体耦合、比热容同步、密度修正。

7.功率循环热阻漂移:循环次数、结温摆幅、通电时间、断电时间、壳温监控、漂移率、失效阈值、阿伦尼乌斯拟合、激活能、寿命外推。

8.高温高湿热阻漂移:温度85℃、湿度85%RH、偏置电压、持续时间、中间读点、恢复试验、不可逆增量、界面分层、离子迁移、腐蚀产物。

9.温度循环热阻漂移:-55℃至125℃、升降温速率、驻留时间、循环区间、金铝键合、焊料疲劳、裂纹扩展、热阻突变、声扫验证、截面制样。

10.机械加载热阻变化:螺钉扭矩、弹片压力、弯曲挠度、振动量级、冲击加速度、界面剥离、空隙生长、导热垫回弹、压力分布云图、热阻映射。

11.堆叠封装热阻:硅通孔、微凸点、底部填充、翘曲量、芯片减薄、应力释放、界面空洞、回流曲线、底部填充流动、固化度。

12.系统级热阻:主板铜箔、电源层、地层、热过孔、风道阻抗、风扇曲线、散热器底座、鳍片效率、热管启动、均温板均温性。

检测范围

1.引线框架封装:DIP、SOP、QFP、LQFP、TQFP、SSOP、TSSOP、HTSSOP、裸铜框架、镀银框架、预镀镍钯金、蚀刻型、冲压型、岛面粗糙度、引脚共面性。

2.基板型封装:BGA、PBGA、CBGA、TBGA、FCBGA、EBGA、封装尺寸7mm至77mm、层数2至18层、激光孔机械孔混压、阻焊开窗、表面沉金、OSP、ENEPIG。

3.晶圆级封装:WLCSP、扇入型、扇出型、重布线层、聚合物介电、铜柱、锡帽、UnderBumpMetallurgy、钝化层开口、芯片厚度50μm至775μm。

4.功率封装:TO220、TO247、TO252、TO263、LFPAK、DPAK、D2PAK、PowerSO8、铜夹片、铝线、铝带、铜线、银烧结、锡片、陶瓷基板DBC、AMB。

5.叠层封装:PoP、存储器加逻辑、顶部封装0.4mmPitch、底部封装0.5mmPitch、中心距公差、叠层高度、底部填充间隙、翘曲匹配、热膨胀系数梯度。

6.系统级封装:SiP、射频前端、毫米波AiP、天线阵列、塑封腔体、电磁屏蔽盖、分区导热、分区接地、热隔离墙、隔腔高度。

7.光电器件封装:LED支架、陶瓷基板COB、CSPLED、VCSEL阵列、光电共封装、透镜贴合、荧光粉层、热阻-光通量耦合、结温-波长漂移。

8.微机电封装:MEMS麦克风、惯性传感器、压力传感器、晶圆级真空封帽、通孔硅、阳极键合、金-金键合、吸气剂、真空度保持、热应力脱层。

9.汽车级封装:AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q006、0级-3级、温度范围-40℃至150℃、潮敏等级MSL1、锡须抑制、板弯测试、超声扫描、预处理。

10.军工级封装:MIL-PRF-38535、MIL-STD-883、ClassS、ClassB、气密性封装、陶瓷金属化、平行缝焊、储能焊、内部水汽含量、氦质谱检漏。

检测标准

国际标准:

JESD51-1、JESD51-2、JESD51-3、JESD51-4、JESD51-5、JESD51-6、JESD51-7、JESD51-8、JESD51-9、JESD51-10、JESD51-11、JESD51-12、JESD51-13、JESD51-14、MIL-STD-883H

国家标准:

GB/T4937.1、GB/T4937.2、GB/T4937.3、GB/T4937.4、GB/T4937.5、GB/T4937.6、GB/T4937.7、GB/T4937.8、GB/T4937.9、GB/T4937.10、GB/T4937.11、GB/T4937.12、GB/T4937.13、GB/T4937.14、GB/T4937.15

检测设备

1.结温测试仪:微伏级电压采样、1μs时间分辨率、256通道同步、矩阵开关、冷端补偿、线性化算法、通道一致性≤0.05℃、短期稳定性≤0.02℃。

2.瞬态热测试仪:1A-200A脉冲电流、10ns上升沿、16bit垂直分辨率、去噪算法、结构函数自动生成、热容-热阻网络提取、自动报告。

3.红外热像仪:640×512像素、1mK灵敏度、50Hz帧频、微距镜头、10μm空间分辨率、发射率校正、区域平均、线温分布、视频记录。

4.强制对流风洞:风速0.1m/s至10m/s、湍流度≤1%、温度均匀性±0.2℃、开放式测试段、导轨可调、散热器工装、风速计校准。

5.液冷板热阻台:去离子水循环、流量0至5L/min、温差±0.05℃、压力传感器、泄漏检测、快速接头、冷板表面粗糙度≤0.8μm。

6.功率循环老化箱:500A脉冲电流、通断比可调、水冷母排、四线开尔文、结温在线监测、壳温扫描、循环计数、失效自动停机。

7.温湿度试验箱:温度-70℃至180℃、湿度10%RH至98%RH、升温速率15℃/min、湿度波动±2%RH、样品电源端子、数据记录。

8.温度冲击箱:两槽式、-65℃至200℃、转换时间≤10s、吊篮移动、氮气吹扫、霜冻抑制、温度曲线存储、热载容量20kg。

9.激光闪射仪:脉冲能量25J、脉宽0.5ms、红外探测器、样品厚度10μm至6mm、比热同步、多层膜解析、面扫描、各向异性。

10.压力分布测试系统:柔性薄膜传感器、点阵密度100/cm²、压力范围0至10MPa、采样频率1kHz、热耦合校正、云图输出。

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

芯片封装热阻检测
中析研究所

北京中科光析科学技术研究所(简称中析研究所),隶属于北京前沿科学技术研究院,为集体所有制单位,是以科研检测为主的科学技术研究机构。中析研究所坚持基础研究与应用研究并重、应用研究和技术转化相结合,发展为以“任务带学科”为主要特色的综合性研究所。经国家有关部门批准,成为第三方分析测试技术服务单位,旗下实验室机构获得CMA资质认证。开展了研发设计、分析检测、试验验证、共性加工、信息及知识产权等服务,为科技型企业创新提供公共服务。本所得到政府创新基金的支持,被评为国家高新技术企业。

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